7分鐘前 PVD電鍍加工承諾守信「瑞泓科技」[瑞泓科技92edd1f]內容：

真空電鍍--磁控濺射鍍膜技術

一、磁控濺射鍍膜－濺射原理：

1.使chamber達到真空條件，一般控制在(2~5)E-5torr

2.chamber內通入Ar，并啟動DC power

3.Ar發生電離：Ar ? Ar+ ＋ e-

4.在電場作用下，電子會加速飛向陽極

5.在電場作用下，Ar+會加速飛向陰極的target（靶材），target粒子及二次電子被擊出，前者到達substrate（基片）表面進行薄膜成長，后者被加速至陰極途中促成更多的電離。

6.垂直方向分布的磁力線將電子約束在靶材表面附近，延長其在等離子體中的運動軌跡，提高它參與氣體分子碰撞和電離過程的幾率的作用。

真空電鍍反應濺射：

1.在濺射鍍膜時，有意識地將某種反應性氣體如氮氣，氧氣等引入濺射室并達到一定分壓，即可以改變或者控制沉積特性，從而獲得不同于靶材的新物質薄膜，2.如各種金屬氧化物、氮化物、碳化物及絕緣介質等薄膜。

3.直流反應濺射存在靶z毒，陽極消失問題，上個世紀80年代出現的直流脈沖或中頻孿生濺射，使反應濺射可以大規模的工業應用。

4.反應磁控濺射所用的靶材料（單位素靶或多元素靶）和反應氣體（氧、氮、碳氫化合物等）通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。

5.反應磁控濺射中調節沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。

6.反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因而對基板材料的限制較少。

7.反應磁控濺射適合于制備大面積均勻薄膜，并能實現對鍍膜的大規模工業化生產。

真空鍍膜和光學鍍膜的原理和區別

1、真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法。

2、光的干涉在薄膜光學中廣泛應用。光學薄膜技術的普遍方法是借助真空濺射的方式在玻璃基板上涂鍍薄膜，一般用來控制基板對入射光束的反射率和透過率，以滿足不同的需要。為了消除光學零件表面的反射損失，提高成像質量，涂鍍一層或多層透明介質膜，稱為增透膜或減反射膜。

另一個典型的例子，就是制備SiO2薄膜，如下圖所示，它是在通常的真空蒸鍍設備中引入O2。O2的引入方法較多，一般多采用通過泄露閥引入空氣的方法。但是需要準確地確定SiO2的組成時，就應當采用從氧氣瓶中引入O2或者選用圖在坩堝中加入NA2O的粉末進行加熱、分解產生的O2碰撞到基片上。這種方法與雙蒸源法的不同點，在于活性氣體分子與在這種情況下反應生成的氣體分子，都能自由在蒸鍍空間飛來飛去。從蒸發源出來的分子，就通過這些分子幾乎是直接到達基片上。