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公司基本資料信息
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干法清洗主要是采用氣態的刻蝕不規則分布的有結構的晶圓二氧化硅層,雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優點,但可清洗污染物比較單一,目前在 28nm 及以下技術節點的邏輯產品和存儲產品有應用。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主,少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式互補所短,在短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢,目前濕法清洗是主流的清洗技術路線,占比達芯片制造清洗步驟數量的 90%。
一種半導體氧化設備,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;設置于氧化室內,并用來支撐半導體樣品的基座;用于向所述氧化室供應對所述
半導體樣品的特定部分進行氧化的水蒸汽的供應部分;監測窗,其設置于所述氧化室的室壁之一內,并且設置于能夠面對支撐于所述基座上的所述半導體樣品的位置處;監測部分,其設置于所述氧化室之外,并且能夠經由所述監測窗面對支撐于所述基座上的半導體樣品;以及調整所述基座和所述監測部分之間的距離的調整部分。