而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。采用連續式硫化法的情況下，不會有因切去加壓成形產生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內進行處理時橡膠管兩端翹起的部分而導致的橡膠浪費，另外能夠縮短制造時間和減少人工費用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優于間歇式硫化法。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。用間歇式硫化法進行硫化處理制造輥筒時，由于端部和中央部分會產生壓力和熱傳遞差，所以電阻值不均勻。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。

中國的工業，由于長期處于計劃經濟體制內，發展比較緩慢，對于金銀而言，可以說是歷史悠久，源遠流長了，但在改革開放前，沒有納入國家計劃渠道的，直至2002年10月30日上海黃金正式開業，才宣告了計劃經濟時金銀管理條例的失效，而鉑族金屬工業更是起步晚、技術落后，直到改革開放以后，才有了突飛猛進的發展，但與國際上先進的國家相比較，依然是落在人家后面，因此在中國無論是的投資儲備需求，還是實際的應用需求。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。

鎢-鈦（W-Ti）膜以及以鎢-鈦（W-Ti）為基的合金膜是高溫合金膜，具有一系列的優良性能。鎢具有高熔點、高強度和低的熱膨脹系數等性能，W/ Ti 合金具有低的電阻系數、良好的熱穩定性能。釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線，例如Al 、Cu 和Ag 等已經被廣泛的應用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環境發生反應,與介質層的粘結性差,易擴散進入Si 與SiO2 等器件的襯底材料中，并且在較低的溫度下會形成金屬與Si 的化合物, 充當了雜質的角色,使器件的性能大幅度下降。