凈化工程技術對半導體和集成電路生產的意義：

半導體材料的提純是半導體器件發展的重要基礎。由于大規模和超大規模集成電路的工藝要求，為了獲得高純度的硅材料，原料和中間介質的高純度以及生產環境的潔凈度成為影響產品質量的突出問題。IC芯片的良率與芯片的缺陷密度有關，芯片的缺陷密度與空氣中的顆粒數有關。因此，隨著集成電路的快速發展，不僅要控制空氣中粒子的大小，還要進一步控制粒子的數量。

硅片直徑為100um，溫升1度，上升0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，濕度也要求值一般較低，因為人在出汗，產品會有污染，特別怕大半導體車間，車間溫度不應超過25度，濕度高的問題較多。當相對濕度超過55％時，冷卻水管壁會結露，如果在精密設備或電路中發生，會引起各種事故。當相對濕度為50％時，容易生銹。

凈化工程-亂流潔凈室原理　凈化工程亂流潔凈室的主要特點是一次流到出口（從送風口到回風口）的氣流流動截面發生變化。潔凈室的橫截面要比送風口大得多，因此在整個房間橫截面或整個房間工作截面都不能形成均勻的氣流。因此，送風口后的流線有較大或較大的角度，曲率半徑較小。室內的氣流不能單向流動，而是會相互碰撞，產生回流和渦流。這就決定了湍流潔凈室的流動狀態本質上是:突然流動;非均勻流。

障礙物會使單向流變成湍流，從而在障礙物周圍形成氣團?！∪祟惖倪\動也會使單向流動產生湍流。在這些湍流中，由于風速較低，空氣的稀釋程度較低，導致污染濃度較高。因此，凈化工程風速必須保持在0.3m/s~0.5m/s（60ft/min~100ft/min）的范圍內，以便中斷的單向流能夠迅速恢復，并充分稀釋障礙物周圍湍流區的污染。單向流可以用風速來正確表示，因為風速越高，房間越干凈。而每小時換空氣的次數與房間的容積有關，比如吊頂的高度，所以不適合單向流動。單向室的空氣體積是紊流室的許多倍（10到100倍）。