|
公司基本資料信息
|
平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng),亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。目前主要以化學(xué)雜質(zhì)的含量為標(biāo)準(zhǔn),常以雜質(zhì)在金屬中總含量的百萬分之幾表示。銦錫臺(tái)金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜,但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率,并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取方法生產(chǎn)ITO靶材,利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜.它具有沉積速度快.且能控制膜厚,電導(dǎo)率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
超純金屬的制備有化學(xué)提純法如精餾(特別是金屬氯化物的精餾及氫還原)、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等(見硅、鍺、鋁、銦)。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結(jié)合有效。
由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染,使得到的金屬純度受到一定的限制,只有用化學(xué)方法將金屬提純到一定純度之后,再用物理方法如區(qū)熔提純,才能將金屬純度提到一個(gè)新的高度。另外,近年來平面顯示器(FPD)大幅度取代原以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng).亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。可以用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測(cè)的原理(見區(qū)域熔煉)。
中國的工業(yè),由于長期處于計(jì)劃經(jīng)濟(jì)體制內(nèi),發(fā)展比較緩慢,對(duì)于金銀而言,可以說是歷史悠久,源遠(yuǎn)流長了,但在改革開放前,沒有納入國家計(jì)劃渠道的,直至2002年10月30日上海黃金正式開業(yè),才宣告了計(jì)劃經(jīng)濟(jì)時(shí)金銀管理?xiàng)l例的失效,而鉑族金屬工業(yè)更是起步晚、技術(shù)落后,直到改革開放以后,才有了突飛猛進(jìn)的發(fā)展,但與國際上先進(jìn)的國家相比較,依然是落在人家后面,因此在中國無論是的投資儲(chǔ)備需求,還是實(shí)際的應(yīng)用需求。制備化合物半導(dǎo)體的金屬如銦、磷,可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬,總金屬雜質(zhì)含量為0。
鎢-鈦(W-Ti)膜以及以鎢-鈦(W-Ti)為基的合金膜是高溫合金膜,具有一系列的優(yōu)良性能。鎢具有高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度和低的熱膨脹系數(shù)等性能,W/ Ti 合金具有低的電阻系數(shù)、良好的熱穩(wěn)定性能。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機(jī)械性能好,但設(shè)備投入高,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)品的缺氧率高。如各種器件都需要起到導(dǎo)電作用的金屬布線,例如Al 、Cu 和Ag 等已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環(huán)境發(fā)生反應(yīng),與介質(zhì)層的粘結(jié)性差,易擴(kuò)散進(jìn)入Si 與SiO2 等器件的襯底材料中,并且在較低的溫度下會(huì)形成金屬與Si 的化合物, 充當(dāng)了雜質(zhì)的角色,使器件的性能大幅度下降。