對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。

此外，采用連續(xù)硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設(shè)法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續(xù)硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內(nèi)的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導(dǎo)電性填充劑的分散。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的壓力下等方加壓燒結(jié)。

精鋁經(jīng)過區(qū)熔提純，只能達到5 的高純鋁，但如使用在有機物電解液中進行電解，可將鋁提純到99.9995%，并可除去有不利分配系數(shù)的雜質(zhì)，然后進行區(qū)熔提純數(shù)次，就能達到接近于 7 的純度，雜質(zhì)總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導(dǎo)體材料外，還在低溫下有高的導(dǎo)電性能，可用于低溫電磁設(shè)備。鎢過去用作燈泡的燈絲，由于脆性而使處理上有困難，在適當(dāng)提純之后，這種缺點即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。

制備化合物半導(dǎo)體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質(zhì)含量為 0.1～1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。

加工工業(yè)里鉬用得更廣泛。高溫下使用的模具受熱、機械交變應(yīng)力作用導(dǎo)致材料疲勞出現(xiàn)裂紋。而利用熱膨脹系數(shù)小，導(dǎo)熱強、高溫強度好的鉬或鉬基合金，模具壽命大幅度延長。燒結(jié)法設(shè)備投入少，成本低，產(chǎn)品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性很強。壓鑄手表殼等精巧零件時，壽命可達5000次，一般為3000次，軸承生產(chǎn)中鎢板，鉬板，鎢棒，鉬棒，鎢管，鉬管，鎢坩堝，鉬坩堝采用鉬合金模具比原高速鋼、軸承鋼模具壽命提高15倍。