公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管的選型是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時也會給工程師帶來諸多麻煩。

為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。

在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。 當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。

3）安全防護漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應管。MOS 管作為半導體領域基礎的器件之一，不管是在板級電路的應用上，還是IC的設計里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個N型區(qū)。在普遍的情況下，這兩個區(qū)都是相同的，就算這兩段相互調換過來也是不會去影響到器件的性能。所以這器件被認為是對稱的。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管是利用VGS去控制“感應電荷”的多少，由此去改變由這些“感應電荷”所形成的導電溝道的狀況，以此來控制漏極電流。在管子制造時，通過一些特殊工藝使得絕緣層出現(xiàn)大量的正離子，所以在交界面另一側可以感測出比較多的負電荷，高滲雜質的N區(qū)被這些負電荷接通，導電溝道也就形成了，即便在VGS為0時也會有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發(fā)生改變時，溝道里的被感應電荷量也會發(fā)生改變，導電溝道中的寬窄也會隨著改變，因此漏極電流ID會伴隨著柵極電壓的變化而發(fā)生變化。